介紹

Silicon Power 採用雙重安全設計來實現電源異常保護+。
所有系列的 SP Industrial SSD 都配備有電源遮蔽韌體架構保護機制，在偵測到電壓不穩定及斷電時，會停止接收主機命令。SP Industrial 的 R 系列 SSD 則搭載工業級聚合物電容器的 PFP+ 技術，在突然斷電時，提供更多時間將資料從 DRAM 快取寫入 Flash。

主要特點與功能

• 全新 DC 電源電路設計，最高可提升至 26V，增強高能效表現。

   

• 優化硬體基礎的 PFP 技術，結合聚合物鈦電容與軟體電源遮蔽。

   

• 聚合物電容器可在 -55°C 至 105°C 範圍內運作。

   

• 持續供電時間（Hold-up time）最低可達 25 毫秒，最高可達 100 毫秒。

SSD 控制器如何管理電源異常

SSD 韌體儲存在 NAND Flash 的系統區塊中。系統開機時，SSD 會將相關的映射表與初始命令載入至 DRAM，供 SSD 控制器使用。當 VCC 電壓低於 4V 時，SSD 控制器會啟動電源遮蔽功能，並開始將 DRAM 快取資料寫入 Flash，以在有限時間內保護用戶資料。同時，VCC 低於 4V 時，SSD 控制器停止接收主機命令以自我保護。在此期間，主機無法識別 SSD，且 SSD 停止工作，直到 VCC 恢復穩定。當 VCCF 低於 2.7V 時，SSD 控制器會先行執行命令，將映射表回寫至 Flash 的系統區塊。此期間主機仍無法識別 SSD，且即使電源恢復，SSD 仍無法正常運作，需再次開關電源，主機才能正常重啟 SSD

SSD 運作期間，資料暫存在 DRAM 快取中，以減少主機介面與 NAND Flash 記憶體間的效能差距。然而，若遇突發斷電（如拔除系統電源、電池驟然耗盡或設備被拔除等），資料回寫過程可能無法完成，造成嚴重裝置故障。Silicon Power 雙重安全設計的電源異常保護+（PFP+）結合韌體保護機制與電容備援電路，有效解決此類問題。

電源異常保護+（PFP+）機制如何運作？

電源遮蔽功能整合內建的電壓偵測器（VDT）與韌體機制。當偵測到電源異常下降時，立即採取動作，例如停止接收主機資料，並備份映射表／連結表至 Flash。PFP+ 利用專用的聚合物電容元件，在突然斷電時為 SSD 電路提供電力，延長資料從 DRAM 快取或 SLC 快取寫入 Flash 的時間。這些電容在通電時充電，斷電時釋放電力。

SP 的 PFP+ 技術可確保至少 30 毫秒的持續供電時間，讓資料寫入任務能於放電時間內完成。此外，該技術在異常條件下通過至少 3,000 次的電源循環測試。